
美国海军研究实验室创造出超越5G性能的氮化镓基(GaN)半导体
美国海军研究实验室(NRL)物理学家开发出了一种新型基于氮化镓的电子元件,称为谐振隧穿二极管(RTD),其性能超过了5G预期速度。这种第五代网络技术现在刚刚开始在美国各地推广。
美国海军研究实验室(NRL)物理学家开发出了一种新型基于氮化镓的电子元件,称为谐振隧穿二极管(RTD),其性能超过了5G预期速度。这种第五代网络技术现在刚刚开始在美国各地推广。