
科学家利用GeV重离子曝光制备出亚5nm纳米线
纳米光刻是芯片制造和微纳加工中的一项关键技术。高性能、小型化、新概念纳米器件的研发对纳米光刻技术提出了越来越高的要求。传统的粒子束光刻工艺采用聚焦的光子束、电子束、keV离子束曝光产生高分辨纳米结构,但是受材料特性、粒子散射和非限域能量沉积等影响,制备超高长径比的亚10nm结构一直面临挑战。
纳米光刻是芯片制造和微纳加工中的一项关键技术。高性能、小型化、新概念纳米器件的研发对纳米光刻技术提出了越来越高的要求。传统的粒子束光刻工艺采用聚焦的光子束、电子束、keV离子束曝光产生高分辨纳米结构,但是受材料特性、粒子散射和非限域能量沉积等影响,制备超高长径比的亚10nm结构一直面临挑战。
上海交通大学樊春海院士及美国亚利桑那州立大学颜颢教授等在最新一期《自然·化学》杂志上发表论文称,他们创建出一种新型元DNA结构,这些元DNA结构可自我组装成形状各异的微米级结构,应用于光电子学及合成生物学领域,从而促进信息存储和加密等技术的发展。