
科学家利用GeV重离子曝光制备出亚5nm纳米线
纳米光刻是芯片制造和微纳加工中的一项关键技术。高性能、小型化、新概念纳米器件的研发对纳米光刻技术提出了越来越高的要求。传统的粒子束光刻工艺采用聚焦的光子束、电子束、keV离子束曝光产生高分辨纳米结构,但是受材料特性、粒子散射和非限域能量沉积等影响,制备超高长径比的亚10nm结构一直面临挑战。
纳米光刻是芯片制造和微纳加工中的一项关键技术。高性能、小型化、新概念纳米器件的研发对纳米光刻技术提出了越来越高的要求。传统的粒子束光刻工艺采用聚焦的光子束、电子束、keV离子束曝光产生高分辨纳米结构,但是受材料特性、粒子散射和非限域能量沉积等影响,制备超高长径比的亚10nm结构一直面临挑战。