碳基射频电子器件

未来第六代通信技术要求射频器件和电路的吞吐量、传输速度和集成度具有全方位、大幅度的提升，实现射频/数字单片混合集成芯片是最有吸引力的解决方案。特别是在90 GHz以上工作频段，硅基CMOS晶体管噪声太大，无法满足射频电路需要，化合物半导体器件技术无法满足大规模数字集成电路的需求，因此需要新的原理、新的材料、新的器件结构架构来推动通信技术的进一步发展。