深紫外光LED

全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片

全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片

东京都立大学的科学家开发了一种用于深紫外（DUV）发光二极管应用的新型电极材料。他们使用尖端的沉积技术，在添加了钽的氧化锡和氧化锗合金上形成薄膜，发现它们表现出优异的导电性和前所未有的DUV光透明度。新电极有望对工业产生影响，因为相同的波长用于杀菌过程和微芯片的制造。研究成果发表在Chemistry of Materials上。

研究人员已经解决了光无线通信的一个重大问题，即光在手机和其他设备之间传递信息的过程。发光二极管（LED）发出脉冲光，使其成为接收方设备可以理解的编码消息。