抗辐射电路设计

麻省理工学院的林肯实验室长期以来一直在研究制造抗辐射集成电路的方法。他们的技术被称为完全耗尽型绝缘体上硅（FDSOI）CMOS技术，目前正在制造至90纳米的工艺。 在DARPA赞助下近二十年的技术成熟之后，它终于为行业做好了准备。