垂直堆叠晶体管

MIT用电子堆叠技术开发一种创新多层3D芯片

台积电于6月16日在2022年北美技术论坛(TSMC 2022 North America Technology Symposium)上展示了其先进逻辑、专业和3D IC技术的最新创新，其中展示了下一代先进2纳米制程技术(N2)的纳米晶体管，以及首次亮相将用于3纳米制程技术N3和N3E的独特FinFlex™技术。

近日半导体材料的获得重大突破，创造了一种可以推倒摩尔定律“终结”的芯片。这一突破是在麻省理工学院 (MIT)、国立台湾大学 (NTU) 和台积电 (TSMC) 的共同努力下完成的，台积电是全球最大的先进芯片制造商。突破的核心是采用半金属铋的工艺，可以制造 1 纳米 (nm) 以下的半导体。