场效应晶体管

场效应晶体管器件尺寸的极致缩减是半导体集成电路产业发展面临的重要挑战，主要包括沟道长度和接触长度等器件特征尺寸的缩减和性能的优化。受益于超薄的原子结构，新型层状二维半导体具有优异的静电调控能力，在克服短沟道效应、缩减器件沟道长度方面展现出了显著优势。

通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道，日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管，可用来生产高密度数据存储器件。此外，通过使用反铁电体代替铁电体，他们发现擦除数据只需要很小的净电荷，从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该项成果，将催生新的更小、更环保的数据存储器。

北京大学物理学院吕劲研究员课题组在《物理报道》发表亚10 nm二维晶体管研究综述长文

双极型场效应晶体管同时允许电子和空穴传输，可以在不同的状态 （n型和p型）下工作，对于简化电路的制造和赋予电路多功能性具有重要意义。然而，本征的双极型晶体管很难完全关闭，因为栅电极不能同时耗尽整个传输沟道上的电子和空穴，导致较小的开关比，这阻碍了实际应用。