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二维半导体材料

最前沿
中国团队在二维材料发光器件领域取得重要进展

近日,清华大学电子系宁存政团队首次将碰撞激子产生和发光机制引入到二维半导体材料发光器件中,实现了一种基于叉指电极结构的无载流子注入的发光器件。不同于传统的电注入发光器件结构,该器件无需金属半导体接触、无需PN结(P型与N型半导体交界面形成的空间电荷区),充分利用二维半导体材料激子结合能大的特点,通过交变电场加速载流子,通过碰撞产生激子并辐射发光。

最前沿
新型碳基二维半导体材料基本物性研究新进展

以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而,石墨烯的零带隙半导体性质严重限制了其在微电子器件领域的应用。针对该情况,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员等自2013年开展新型碳基二维半导体材料的制备研究,2014年1月成功制备了由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构半导体C3N单层材料,并发现该材料在电子注入后产生的铁磁长程序。

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使用2D半导体制造的运算放大器

维也纳理工大学、比萨大学和AMO有限公司的研究人员最近采用二维半导体MoS2制造了一种模拟运算放大器,是基于局部背栅n通道MoS2场效应晶体管。值得一提的是,它是迄今为止开发的基于二维半导体的最复杂、最精密的模拟电路之一。