高分辨率成像技术以无损方式和纳米精度研究材料更清晰地看半导体内部

耶拿大学光学与量子电子研究所的研究团队开发高分辨率成像技术能够以无损方式和纳米精度研究材料，可更清晰地看到半导体内部。研究人员展示他们的方法-相干断层扫描与远紫外线（XCT的简称） -并展示其在研究和应用潜力。这一研究成果尤其适用于技术领域，例如材料研究或数据处理等。

光穿透样品并被内部结构反射

该研究的主要作者博士候选人菲利克斯·维斯纳（Felix Wiesner）解释说，成像程序基于光学相干断层扫描（OCT），该技术已在眼科领域建立了多年。这些设备已经开发出来，可以无创地逐层检查眼睛的视网膜，以创建3D图像。但是，耶拿大学物理学家使用OCT时使用的是短波紫外线，而不是长波红外线。

非线性光学效应产生相干的极短波紫外线

产生这种极短波的紫外线（XUV）曾经是一个挑战，几乎只有在大型研究机构中才有可能。然而，耶拿物理学家在普通实验室中产生宽带XUV，并为此目的使用所谓的高谐波。这是由于激光与介质的相互作用而产生的辐射，其频率是原始光的许多倍。谐波次数越高，产生的波长越短。

在他们目前描述的研究工作中，物理学家将硅中的纳米层结构暴露在相干的XUV辐射下，并分析了反射光。硅样品包含不同深度的其他金属（如钛或银）的薄层。由于这些材料的反射特性与硅不同，因此可以在反射辐射中检测到它们。该方法非常精确，不仅可以以纳米精度显示微小样品的深层结构，而且由于反射行为的不同，还可以精确确定样品的化学成分。最重要的是，以非破坏性的方式。这使得相干断层扫描成为检测半导体、太阳能电池或多层光学元件的有趣应用。获取更多前沿科技信息访问：https://byteclicks.com