意法半导体推出第三代碳化硅功率器件

意法半导体推出第三代 STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET，用于电动汽车 (EV) 动力系统和其他对功率密度、能效和可靠性至关重要的应用的功率控制。作为 SiC 功率 MOSFET 的市场领导者，意法半导体融入了全新的先进设计技术，以进一步挖掘 SiC 的节能潜力。

随着电动汽车市场的加速发展，许多汽车制造商和汽车供应商现在都采用 800V 驱动系统实现更快的充电和减轻车体重量。这些新系统使汽车制造商能够生产行驶里程更长的汽车。ST 的新型 SiC 器件专门针对这些高端汽车应用进行了优化，包括 EV 牵引逆变器、车载充电器、DC/DC 转换器以及e-climate压缩机。

通过提高工业电机驱动器、可再生能源发电机和存储系统以及电信和数据中心电源的效率，新一代产品还适合工业应用。

ST已完成第三代碳化硅技术平台的认证，预计2021年底大部分衍生产品将走向商业成熟。标称额定电压为650V和750V至1200V的器件将上市，为产品提供更多选择设计人员解决从普通 AC 线路电压到高压 EV 电池和充电器的应用。

首批可用产品是 650V SCT040H65G3AG，售价 5.00 美元，750V SCT160N75G3D8AG，售价 26.00 美元。

意法半导体的最新平面MOSFET为表示晶体管效率、功率密度和开关性能的公认的FoMs[导通电阻（Ron）x芯片尺寸，以及Ron x栅极电荷（Qg）]设定了新的行业领先基准。使用普通硅技术改善FoM已经变得越来越困难，因此，SiC技术是进一步改善的关键。

与硅替代品相比，碳化硅 MOSFET 还具有与其芯片尺寸相关的更高额定电压，这使该技术成为电动汽车应用和电动汽车快速充电基础设施的绝佳选择。此外，它们受益于非常快速的固有二极管，该二极管提供了车辆到 X (V2X) 功率流中使用的汽车车载充电器 (OBC) 所需的双向特性，允许将电力从 OBC 电池传输到基础设施。

此外，它们非常高的频率能力允许在电源系统中使用更小的无源元件，从而允许在车辆中使用更紧凑和轻便的电气设备。相同的特性还降低了工业应用中的拥有成本。

ST将提供各种形式的第三代设备，包括裸片、分立电源封装（如STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK）以及电源模块（包括ACEPACK）。这些封装提供创新设计功能，例如专门放置的冷却片，可简化与 EV 应用中的基板和散热器的连接。获取更多前沿科技 研究进展 访问：https://byteclicks.com

这些选项为设计人员提供了针对 EV 主牵引逆变器、e-climate压缩机、车载充电器 (OBC)、DC/DC 转换器和工业应用（如太阳能逆变器、储能系统、电机驱动器和电源。