韩国基础科学研究院实验揭示埃米级超超精细半导体器件
韩国基础科学研究院(IBS)表示，多维碳材料研究组带头人李宗勋和韩国蔚山科学技术大学(UNIST)、韩国浦项科技大学(POSTECH)共同研究组通过实验揭示利用新一代材料黑磷可以打造线宽4.3Å(埃•100亿分之1米)的导电通道。
二维黑磷由于只有一个原子厚，不仅柔软透明，而且与半导体新材料石墨烯不同，易于控制切换导电与不导电，因此正在成为代替石墨烯的新一代半导体器件。
研究组在多层二维黑磷各层插入铜原子后，成功地用铜原子打造了导电通道，使其维观宽度维持在0.43纳米，即4.3Å。并且利用原子分辨率透射电子显微镜(TEM)验证了这一现象。获取更多前沿科技 研究进展 访问：https://byteclicks.com
该研究结果发表在近期的国际顶级学术期刊《Nano Letters》上。
版权声明：除特殊说明外，本站所有文章均为 字节点击 原创内容，采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接：https://byteclicks.com/29492.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有，文章内容仅代表作者独立观点，不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人，只供传递信息之用，非商务用途。如有侵权，请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
