美韩研究人员开发出一种新型二维石墨烯材料掺杂工艺
美国哥伦比亚大学与韩国成均馆大学合作完成一项研究，通过低杂质氧硒化钨制成的电荷转移层掺杂石墨烯，成功制造出高透明度、高导电率的二维石墨烯层。
这种高掺杂和高迁移率的结合使石墨烯具有比铜和金等高导电金属更高的导电性，且在电信中使用的红外波长下，石墨烯的透明度超过99%。
高透明度和导电率有利于该材料在光通信中的应用。研究人员将致力于将掺杂材料集成到新型光子器件中，以期在透明电子、电信系统和量子计算机中取得广泛应用。获取更多前沿科技 研究进展 访问：https://byteclicks.com
研究成果发表在Nature Electronics上。
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