荷兰研究人员开发出变革性的发光硅锗合金纳米线
2020年4月8日，荷兰埃因霍芬理工大学、德国耶拿大学和慕尼黑大学、奥地利林茨大学的研究人员联合开发出一种具有优异光电性能、能发光的锗和硅锗合金直接带隙半导体纳米线，将有望推动第一台硅基激光器的问世，引发硅技术的第二次革命–硅光子学，为与互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容的硅基光子芯片发展铺平了道路。这项研究工作得到了欧盟“硅激光器（SiLAS）”项目的资助，相关研究成果已发表在《自然》期刊上。
传统硅合金制备方法通过交替使用不同成分的原子层来改变原子势。本项研究中，研究人员采用交替进行锗和硅锗合金两种类型的原子堆叠方式，制备出六方晶格的直接带隙硅锗合金。
目前为止，材料质量不断显著提高，研究人员已经实现了几乎可与磷化铟和砷化镓相媲美的光学性能，正在利用这种材料研制可集成到当前电子芯片中的硅基激光器，其有望于2020年研制成功。这将推动主流硅电子器件与光子器件紧密集成，为片上光通信和基于光谱学的平价化学传感器带来广阔的发展前景。[新一代信息科技战略研究中心 王立娜]
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