碳化硅纤维增韧碳化硅(SiC/SiC)

今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。

由于，目前硅半导体已达到物理极限，若要在硅基功率元件(如Si-MOSFET等)高耐压、耐高温、降低单位面积阻抗等参数作大幅改善，则需要采用宽能隙半导体材料如SiC(碳化硅)或GaN来替代。其中，SiC半导体的宽能隙(band gap)比现有的硅半导体宽3倍以上，可以承受10倍以上的电压，多用于在电动车逆变器（inverter）、车载充电器、太阳能变流器和工业设施中。

美国宇航局(NASA)格伦研究中心的工程师正在为下一代飞机开发新型纤维材料，用来制造更好的飞机发动机和相关系统的零部件。