
新型复合材料:抗辐射新材料新进展
在我们日常生活中,电磁干扰无处不在。从手机通话前扬声器的嗡嗡声,到各种电子设备间的相互影响,电磁干扰已成为现代科技发展中不可忽视的挑战。为应对这一问题,乌拉尔联邦大学的科学家们与国际研究团队合作,成功开发出一种新型复合材料,可显著降低电磁干扰水平,研究结果发表在《聚合物》杂志上。

俄罗斯物理学家制造一种新型防辐射材料具有出色的屏蔽性能
乌拉尔联邦大学(Ural Federal University)的科学家制造出了比现有类似物有效三倍的防辐射材料。研究结果发表在《材料研究与技术杂志》上。

麻省理工学院MIT开发出迄今最先进的抗辐射电路设计工艺技术
麻省理工学院的林肯实验室长期以来一直在研究制造抗辐射集成电路的方法。他们的技术被称为完全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)CMOS技术,目前正在制造至90纳米的工艺。 在DARPA赞助下近二十年的技术成熟之后,它终于为行业做好了准备。