科学家开发出高结晶度过渡金属二硫属化物生长技术
日本冈山大学（Okayama University）的研究人员开发出一种用于生长高质量过渡金属二硫属化物（TMDC）结晶的技术，可优化用于光电器件的TMDC的性能。样品的结晶质量与晶界的数量有关，晶界数量越少，晶畴越大，样品的结晶度就越好。
研究人员基于化学气相沉积法（CVD），采用堆叠基板配置（两个硅基基板彼此靠近）使金属盐和硫源发生反应，生长出大晶畴二硫化钼（MoS2）和二硫化钨（WS2）结晶。该方法为TMDC的形成创造了一个受限的环境，结晶生长受表面扩散控制，导致了大晶畴样品的增长。TMDC结晶可用于柔性光电器件，如光探测器、发光二极管和太阳能电池。
相关研究成果发表在《ACS纳米》（ACS Nano）期刊上。
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