韩国KIST开发超薄透明柔性存储器件

基于二维 (2D) 纳米材料的柔性存储设备是下一代可穿戴市场的关键元素，因为它在数据存储、处理和通信中起着至关重要的作用。用2D纳米材料实现的超薄存储器件可以显着增加存储密度，从而通过实施2D纳米材料开发出灵活的可变电阻存储器。然而，由于纳米材料的弱载流子俘获特性，使用传统二维纳米材料的存储器具有局限性。

韩国科学技术研究院先进复合材料研究所领导的研究团队宣布开发出一种基于异质低维超薄纳米结构的透明柔性存储器件。为此，形成了单层零维 (0D) 量子点并将其夹在两个绝缘的二维六方氮化硼 (h-BN) 超薄纳米材料结构之间。

该研究团队通过将具有优异量子限制特性的 0D 量子点引入有源层，控制 2D 纳米材料中的载流子，实现了一种可能成为下一代存储器候选者的器件。基于此，零维量子点被塑造成垂直堆叠的复合结构，夹在二维六边形 h-BN 纳米材料之间，以生产透明且灵活的器件。因此，开发的设备即使在弯曲时也能保持 80% 以上的透明度和记忆功能。获取更多前沿科技 研究进展 访问：https://byteclicks.com

通过在绝缘六方 h-BN 上提出量子点堆叠控制技术，研究团队为超薄纳米复合结构研究奠定了基础，并大大揭示了下一代存储器件的制造和驱动原理。研究团队计划在未来将异质低维纳米材料组成的堆积控制技术系统化，并扩大其应用范围。

韩国科学技术研究院（KIST） 作为韩国第一个多学科政府资助的研究机构成立，制定了以科学技术为基础的国家发展战略，并传播了各种重要的工业技术。现在，半个世纪过去了，KIST 正在通过世界领先的基础技术研发提升韩国在科学技术领域的地位。展望未来，KIST将继续努力成为一流的研究机构，为韩国和全人类追求更美好的未来。

这项研究得到了韩国科学和信息通信技术部的支持，作为 KIST 的机构研发项目，以及 KIST-UNIST 蔚山融合材料中心的项目。已发表于最新一期《应用表面科学》（JCR领域前3.28%）。

(ac) hBN 转移到 ITO/PET 基材 (d) hBN/ITO/PET 基材；(e) 使用旋涂技术形成 QDs 单层；(fg) hBN 转移到 QD/hBN/ITO/PET 衬底 (h) 通过使用热蒸发工艺在 hBN/QD/hBN/ITO/PET 上沉积 Au 电极；(i) 设备的照片。